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Everlight亿光EASR3212RGA1:创新技术与解决方案的完美融合 在当今的电子行业,LED照明技术正在逐步取代传统的照明方式,以其高效、环保、长寿命等优势,成为了市场上的主流选择。作为一家在LED照明领域有着深厚技术积累的企业,Everlight亿光公司的EASR3212RGA1产品,凭借其独特的创新技术和解决方案,正在引领着LED照明市场的新潮流。 EASR3212RGA1是一款高性能的LED驱动芯片,专为LED照明应用而设计。这款芯片采用了Everlight亿光公司最新的技术和
随着科技的快速发展,高清视频处理芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。HDC1080DMBR芯片就是一款广泛应用于高清视频处理领域的先进芯片。本文将围绕HDC1080DMBR芯片的技术特点和方案应用进行深入介绍。 一、技术特点 HDC1080DMBR芯片是一款高性能的视频处理芯片,具有以下技术特点: 1. 高清视频处理:该芯片支持1080p高清视频处理,能够满足各种高清视频应用的需求。 2. 高速数据传输:该芯片支持高速数据传输,能够满足高清视频数据的传输需求。 3. 低功耗设计:该芯
HCPL-7840-500E是一款高性能的数字LED驱动芯片,广泛应用于各种LED照明和显示设备中。本文将深入探讨该芯片的技术特点和方案应用,帮助读者更好地理解和利用这一关键器件。 技术特点: 1. 高效率:HCPL-7840-500E芯片采用先进的数字控制技术,能有效降低LED的功耗和发热量,提高整体系统的能效。 2. 宽光谱:该芯片能够驱动不同波长的LED,实现宽广的光谱覆盖,满足各种照明和显示需求。 3. 稳定性:芯片内部集成过流和过热保护机制,确保在各种恶劣工作条件下,LED都能保持稳
电路板电容损坏的故障特点及维修 电容损坏引发的故障在电子设备中是最高的,其中尤其以电解电容的损坏最为常见。 电容损坏表现为:1.容量变小;2.完全失去容量;3.漏电;4.短路。 电容在电路中所起的作用不同,引起的故障也各有特点。在工控电路板中,数字电路占绝大多数,电容多用做电源滤波,用做信号耦合和振荡电路的电容较少。用在开关电源中的电解电容如果损坏,则开关电源可能不起振,没有电压输出;或者输出电压滤波不好,电路因电压不稳而发生逻辑混乱,表现为机器工作时好时坏或开不了机,如果电容并在数字电路的电
Everlight亿光EAST3025RGA3:创新技术与解决方案的完美结合 在当今的电子行业,LED技术以其出色的能效、长寿命和环保特性,正在逐渐取代传统的照明技术。其中,Everlight亿光公司推出的EAST3025RGA3 LED产品,以其卓越的技术和解决方案,正在引领行业的新潮流。 EAST3025RGA3是一款高性能的RGB三色LED,具有多项领先的技术特点。首先,其采用业界领先的热性能设计,能够有效降低温度,提高LED的稳定性和寿命。其次,其驱动电流小,节能效果显著,同时环保无污
HCPL-316J-500E是一款具有卓越性能的数字LED驱动芯片,广泛应用于各种电子设备中。它由Microchip Technology公司研发,是一款高速光耦合器,具有低静态电流、低功耗、高速度和高可靠性等优点。 技术特点上,HCPL-316J-500E支持高速CMOS接口,内部驱动电路设计保证了高电流输出能力,使得LED的亮度得以有效提升。同时,其内部集成有ESD保护电路,能够有效地防止静电等干扰因素对电路的损害。此外,该芯片还具有低静态电流和高速度等特性,使得其在高速数据传输中不会产生
HCPL-063L-500E是一款高性能的数字LED驱动芯片,由惠普公司(HP)研发并生产。它以其卓越的性能和广泛的应用领域,在LED照明领域中占据着重要的地位。 首先,我们来了解一下HCPL-063L-500E的基本技术特性。该芯片采用先进的数字LED驱动技术,能够精确控制LED的亮度,避免了传统模拟驱动中的噪声和闪烁问题。此外,HCPL-063L-500E具有低功耗、高效率和高可靠性等优点,适用于各种LED照明应用,如室内和室外照明、显示屏等。 在应用方面,HCPL-063L-500E芯片
引言 耦合电感常用于多相电源拓扑,充分利用其相间磁耦合电流纹波相抵消的技术优势。使用普通分立式电感时,一般只在多相降压转换器输出抵消电流纹波。当这些电感通过磁耦合时,电流纹波抵消作用到所有电路元件:MOSFET、电感线圈、PCB走线[1-6] 。所以,所有相开关操作仅影响到单相,从而减小电流纹波幅值、频率倍增。减小电流波形的RMS有助于提高电源转换效率,或减小磁元件、获得较快的瞬态响应,并进而减小输出电容需求。 耦合电感与传统电感设计的对比 传统非耦合降压转换器的峰-峰电流纹波可表示为式1,其
为了打造尺寸日益缩小的芯片,所需的复杂度与成本越来越高,但却导致收益递减。日前于新思科技(Synopsys)用户大会(SNUG)的一场座谈会上,高通公司(Qualcomm)的一位工程师指出,行动处理器的资料速率将在3GHz达到峰值,而功耗和面积增益则从7nm开始缩减。   高通设计技术团队资深工程总监Paul Penzes指出,由于金属导线中存在电阻性,使得10nm时速度提升的16%到了7nm时耗尽。此外,从10nm进展到7nm,功耗节省的幅度将从30%缩减到10-25%,面积微缩的