标题：三星CL21B105KPFNNNE贴片陶瓷电容CAP CER 1UF 10V X7R 0805的技术与应用介绍 随着电子技术的快速发展，陶瓷电容在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星CL21B105KPFNNE贴片陶瓷电容，作为一种常用的电子元器件，具有独特的性能和应用。本文将围绕其技术特点和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 三星CL21B105KPFNNE贴片陶瓷电容是一种X7R介电材料的贴片电容，具有高介电常数和高温度特性。其采用精密陶瓷工艺制造，具有体积小、重量轻、可靠性
三星K4B1G1646G-BYH9 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-05-09随着科技的飞速发展，电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。其中，内存芯片作为电子设备的重要组成部分，其性能和稳定性直接影响着设备的运行速度和稳定性。三星K4B1G1646G-BYH9是一款采用BGA封装技术的DDR储存芯片，它在众多领域中得到了广泛应用，下面我们将对其技术和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 三星K4B1G1646G-BYH9是一款高速DDR储存芯片，其采用BGA封装技术。BGA是球栅阵列封装（Ball Grid Array）的简称，它是一种将集成电路（IC）装配
三星K4B1G1646G-BQK0 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-05-09随着科技的飞速发展，电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。其中，三星K4B1G1646G-BQK0 BGA封装DDR储存芯片作为一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子产品中，如智能手机、平板电脑、服务器等。本文将介绍三星K4B1G1646G-BQK0 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用。 一、技术特点 三星K4B1G1646G-BQK0是一款采用BGA封装的DDR储存芯片，具有以下技术特点： 1. 高速度：该芯片支持高速DDR2内存接口，数据传输速率高达1066MT/s，能够
三星电子第一季利润预计暴跌95.8%称将把内存芯片产量削减至“合理水平”
2024-05-094月7日消息，三星电子公布了第一季度业绩，营业利润预计暴跌 95.8%，低于分析师的预期。因为内存芯片供过于求情况恶化，买家在全球经济放缓的情况下放缓采购。 三星电子预计 2023 年第一季度营业利润为 6000 亿韩元（当前约 31.32 亿元人民币），同比下降 95.8%；销售额为 63 万亿韩元（当前约 3288.6 亿元人民币），同比减少 19%。三星电子表示，该公司将“有意义地”削减芯片产量。 在宣布减产消息后，三星电子的股票在早盘交易中上涨 3%，而其竞争对手 SK 海力士公司的股
标题：三星CL05A105KP5NNNC贴片陶瓷电容CAP CER应用介绍 随着电子技术的不断发展，陶瓷电容在各种电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星CL05A105KP5NNNC贴片陶瓷电容，作为一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。本文将介绍三星CL05A105KP5NNNC贴片陶瓷电容CAP CER的技术和方案应用。 一、技术特点 三星CL05A105KP5NNNC贴片陶瓷电容采用先进的陶瓷材料和精密制造工艺，具有高精度、高稳定性和高可靠性等特点。其电性能参数如容量、耐压等精度
三星重金聘前理想AI芯片一号位骄旸加入，负责组建GPU团队
2024-05-084月12日消息，三星重金挖角业内大佬，组建自己的 GPU 团队，并与 AMD 深度合作，引入多代高性能、超低功耗的 AMD Radeon 图形解决方案。前理想汽车AI芯片一号位骄旸已加入三星，成为其 GPU 团队的核心成员，负责项目规划、团队创建。 三星近期还在接触从壁仞科技离职的联合创始人焦国方，他曾经负责创建高通骁龙团队，开发过 5 代 Adreno GPU 架构，以及华为鸿蒙OS的图像处理器。这些芯片将适用于 Galaxy 系列智能手机，并预计将在 2024 年下半年采用第二代 3nm
标题：三星CL02A103KQ2NNNC贴片陶瓷电容CAP CER 10000PF 6.3V X5R 01005的技术和方案应用介绍 随着电子技术的快速发展，陶瓷电容在各类电子产品中得到了广泛应用。三星CL02A103KQ2NNNC贴片陶瓷电容是一种高品质的电子元器件，具有卓越的性能和可靠性。本文将介绍三星CL02A103KQ2NNNC陶瓷电容的技术和方案应用。 一、技术特点 三星CL02A103KQ2NNNC贴片陶瓷电容采用高质量的陶瓷材料作为基板，具有高介电常数和高绝缘性能。其内部采用多层
三星K4B1G1646G-BQH9 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-05-07随着科技的飞速发展，电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。其中，内存芯片作为电子设备的重要组成部分，其性能和稳定性直接影响着设备的运行速度和稳定性。三星K4B1G1646G-BQH9是一种采用BGA封装的DDR储存芯片，它在市场上具有广泛的应用前景。 一、技术特点 三星K4B1G1646G-BQH9采用BGA封装技术，这是一种先进的内存芯片封装技术。与传统的封装方式相比，BGA具有更高的集成度、更小的体积和更好的散热性能。这种内存芯片的存储容量高达16GB，工作频率为2133MHz
三星K4B1G1646G-BIH9 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-05-07随着科技的飞速发展，电子设备的功能越来越强大，对储存芯片的需求也日益增长。三星K4B1G1646G-BIH9是一款采用BGA封装技术的DDR储存芯片，其在电子设备中的应用越来越广泛。本文将介绍三星K4B1G1646G-BIH9的技术特点、方案应用以及未来发展趋势。 一、技术特点 三星K4B1G1646G-BIH9是一款采用BGA封装的DDR储存芯片。BGA是Ball Grid Array的简称，是一种先进的封装技术，具有高密度、高可靠性、低成本等优点。该芯片采用0.15μm工艺制程，具有高速、
三星率先发动晶圆代工价格战并大幅降价高达10%
2024-05-074月18日据台媒经济日报报道，三星晶圆代工业务面临出货萎缩和客户下单减量的压力，被迫降价与其他晶圆厂抢单。为了锁定成熟制程，三星发动晶圆代工价格战并大幅降价高达10%。不过，这恐怕会打破原本预期平均单价稳定的局面。 分析人士指出，库存调整比预期剧烈的PC和消费品市场已经影响到晶圆代工成熟制程和部分7/8nm产能利用率，使得台积电和三星都难以幸免。由于三星晶圆代工客户群更集中，所以受冲击更显著。此外，全球经济前景的恶化也导致很多美系大厂调整了新品发放速度，从而降低了短期内对晶圆代工产能的需求。